- Модель продукта TK16G60W5,RVQ
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:3500
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 15.8A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 230mOhm @ 7.9A, 10V
- Материал феррулы 130W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 790µA
- Максимальное переменное напряжение D2PAK
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 600 V
- 43 nC @ 10 V
- 1350 pF @ 300 V