- Модель продукта TPH5R60APL,L1Q
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS No
- Описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:4694
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 175°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 5.6mOhm @ 30A, 10V
- Материал феррулы 960mW (Ta), 132W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 500µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP Advance (5x5)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 52 nC @ 10 V
- 4300 pF @ 50 V