- Модель продукта TK8R2E06PL,S1X
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1559
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт 175°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 50A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 8.2mOhm @ 25A, 10V
- Материал феррулы 81W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 300µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 28 nC @ 10 V
- 1990 pF @ 30 V