- Модель продукта TK22V65X5,LQ
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4000
Технические детали
- Тип монтажа 4-VSFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 22A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 170mOhm @ 11A, 10V
- Материал феррулы 180W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 1.1mA
- Максимальное переменное напряжение 4-DFN-EP (8x8)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 650 V
- 50 nC @ 10 V
- 2400 pF @ 300 V