- Модель продукта TPCP8011,LF
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS No
- Описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4480
Технические детали
- Тип монтажа 8-SMD, Flat Lead
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 175°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 5A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 51.2mOhm @ 2.5A, 10V
- Материал феррулы 940mW (Ta)
- Барьерный тип 3V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение PS-8
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 11.8 nC @ 10 V
- 505 pF @ 10 V
- AEC-Q101