- Модель продукта TK5P65W,RQ
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:3487
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 5.2A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
- Материал феррулы 60W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 170µA
- Максимальное переменное напряжение DPAK
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 650 V
- 10.5 nC @ 10 V
- 380 pF @ 300 V