Инвентаризация:1897

Технические детали

  • Тип монтажа TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 64A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 40A, 20V
  • Материал феррулы 303W (Tc)
  • Барьерный тип 2.6V @ 2mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-268
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +23V, -10V
  • 1200 V
  • 137 nC @ 20 V
  • 1990 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 64A TO268

Инвентаризация: 42

Top