- Модель продукта G20P10KE
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P-CH, -100V, 20A, RD(MAX)<116M@-
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4498
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 116mOhm @ 16A, 10V
- Материал феррулы 69W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 70 nC @ 10 V
- 3354 pF @ 50 V