- Модель продукта G20P08K
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P-80V,RD(MAX)<62M@-10V,RD(MAX)<7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 62mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 60W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 48 nC @ 10 V
- 3500 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
IC GATE AND 4CH 2-INP 14SO
Инвентаризация: 9154
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Инвентаризация: 268470
MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Инвентаризация: 1315
MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Инвентаризация: 2500
P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V
Инвентаризация: 98
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Инвентаризация: 2680
