- Модель продукта SI8429DB-T1-E1
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:21394
Технические детали
- Тип монтажа 4-XFBGA, CSPBGA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11.7A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 35mOhm @ 1A, 4.5V
- Материал феррулы 2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
- Барьерный тип 800mV @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 4-Microfoot
- Длина ремня 1.2V, 4.5V
- Шаг Количество ±5V
- 8 V
- 26 nC @ 5 V
- 1640 pF @ 4 V