- Модель продукта SI7846DP-T1-E3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:18396
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 5A, 10V
- Материал феррулы 1.9W (Ta)
- Барьерный тип 4.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 150 V
- 36 nC @ 10 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Инвентаризация: 2970
MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Инвентаризация: 2015
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Инвентаризация: 16209
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Инвентаризация: 14068
