Инвентаризация:5888

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9.7A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
  • Материал феррулы 1.5W (Ta)
  • Барьерный тип 1.4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 2.5V, 10V
  • Шаг Количество ±12V
  • 30 V
  • 70 nC @ 4.5 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

Инвентаризация: 314112

MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC

Инвентаризация: 5420

MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC

Инвентаризация: 13699

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Инвентаризация: 570614

MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23

Инвентаризация: 20945

Top