Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
• Внешнее покрытие контактов N-Channel
• Толщина внешнего контактного покрытия 79A
• Сопротивление при 25°C 31mOhm @ 40A, 20V
• Материал феррулы 310W
• Барьерный тип 2.8V @ 1mA
• Длина ремня 20V
• Шаг Количество +25V, -10V
• 1200 V
• 232 nC @ 20 V
• 3020 pF @ 1000 V