Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 4 N-Channel (Phase Leg)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Смываемый 560W
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 150A
• Глубина 6040pF @ 1000V
• Сопротивление при 25°C 16mOhm @ 80A, 20V
• Тип симистора 464nC @ 20V
• Барьерный тип 2.8V @ 2mA