Инвентаризация:4489

Технические детали

  • Тип монтажа 10-SMD, No Lead
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1W
  • Внутренняя отделка контактов 12V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Ta)
  • Глубина 2865pF @ 6V
  • Сопротивление при 25°C 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
  • Тип симистора 29nC @ 4V
  • Барьерный тип 1.4V @ 870µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-TSN1820-10

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN

Инвентаризация: 3000

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

Инвентаризация: 3000

Top