Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 250mA (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 13Ohm @ 250mA, 10V
  • Материал феррулы 1.9W (Ta)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±30V
  • 600 V
  • 13.4 nC @ 10 V
  • 582 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R

Инвентаризация: 0

MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R

Инвентаризация: 0

MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 600V 10A TO268

Инвентаризация: 0

Top