Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.46W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9.2A (Ta), 24.5A (Tc)
  • Глубина 825pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 20.5mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 14.3nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI3333-8 (Type UXD)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI3333

Инвентаризация: 0

Top