Технические детали

• Тип монтажа 8-PowerTDFN
• Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
• Скорость 2 N-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2.2W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 100V
• Толщина внешнего контактного покрытия 8A (Tc)
• Глубина 384pF @ 25V
• Сопротивление при 25°C 222mOhm @ 2A, 10V
• Тип симистора 6.7nC @ 10V
• Барьерный тип 2.5V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8 (Type R)