Инвентаризация:4300

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 770mA (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 495mOhm @ 400mA, 4.5V
  • Материал феррулы 430mW (Ta)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN1006-3
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 20 V
  • 1.5 nC @ 8 V
  • 76.5 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN

Инвентаризация: 41609

Top