Технические детали

• Тип монтажа 8-VDFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual) Common Source
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.1W (Ta), 16W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 10.6A (Ta), 30A (Tc)
• Глубина 894pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 11.1mOhm @ 11A, 10V
• Тип симистора 14.6nC @ 10V
• Барьерный тип 1.8V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение V-DFN3030-8 (Type KS)