Технические детали

• Тип монтажа 8-WDFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2.5W (Ta), 23W (Tc), 2.5W (Ta), 25W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 13A (Ta), 16A (Tc), 15A (Ta), 18A (Tc)
• Глубина 485pF @ 15V, 807pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 10.2mOhm @ 13A, 10V, 7.7mOhm @ 15A, 10V
• Тип симистора 11nC @ 10V, 17.5nC @ 10V
• Барьерный тип 2.2V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-DFN-EP (3x3)