Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual) Common Source
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Смываемый 250W (Tj)
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 114A (Tc)
• Глубина 4707pF @ 800V
• Сопротивление при 25°C 14mOhm @ 100A, 20V
• Тип симистора 454nC @ 20V
• Барьерный тип 4.3V @ 40mA