Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 4 N-Channel (Full Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Смываемый 119W (Tj)
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 51A (Tc)
• Глубина 2420pF @ 800V
• Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 50A, 20V
• Тип симистора 213.5nC @ 20V
• Барьерный тип 4.3V @ 20mA
• Максимальное переменное напряжение 22-PIM (33.8x42.5)