- Модель продукта G12P10K
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2571
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12A
- Сопротивление при 25°C 200mOhm @ 6A, 10V
- Материал феррулы 57W
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252 (DPAK)
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 33 nC @ 10 V
- 1720 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 100V 18A DPAK
Инвентаризация: 4218
MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
Инвентаризация: 0
