- Модель продукта G30N03D3
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6415
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 24W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (3.15x3.05)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 13 nC @ 10 V
- 825 pF @ 15 V