Инвентаризация:3086

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 13.5A (Ta), 71.1A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 6.1mOhm @ 13.4A, 10V
  • Материал феррулы 1.8W (Ta), 50W (Tc)
  • Барьерный тип 2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение MLPAK33
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 116.7 nC @ 10 V
  • 3800 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

Инвентаризация: 1571

Top