Технические детали

• Тип монтажа TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Количество витков Through Hole
• Резистивный материал PNP
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Толщина ленты 750mV @ 50mA, 500mA
• Входной логический уровень - Низкий 100nA (ICBO)
• Входной логический уровень - Высокий 100 @ 150mA, 1V
• Тип диода 200MHz
• Максимальное переменное напряжение TO-92
• Суспензия 600 mA
• 40 V
• 625 mW