- Модель продукта RJK5014DPP-E0#T2
- Бренд Renesas
- RoHS No
- Описание RJK5014DPP-E0#T2 - SILICON N CHA
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:13736
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3 Full Pack
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 19A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 390mOhm @ 9.5A, 10V
- Материал феррулы 35W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение TO-220FP
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 500 V
- 46 nC @ 10 V
- 1800 pF @ 25 V