Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 P-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт 150°C
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 750mW (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 20V
• Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Ta)
• Глубина 1300pF @ 10V
• Сопротивление при 25°C 37mOhm @ 3A, 4.5V
• Тип симистора 11nC @ 4.5V
• Барьерный тип 1.5V @ 1mA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOP