- Модель продукта PSMN6R3-120PS
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание PSMN6R3-120PS - N-CHANNEL 120V S
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1819
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 70A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 6.7mOhm @ 25A, 10V
- Материал феррулы 405W (Ta)
- Барьерный тип 4V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение TO-220AB
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 120 V
- 207.1 nC @ 10 V
- 11384 pF @ 60 V