- Модель продукта SA2T18H450W19SR6
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание RF MOSFET LDMOS 30V NI1230
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:26700
Технические детали
- Тип монтажа NI-1230S-4S4S
- Толщина контактного покрытия 10µA
- Количество витков Chassis Mount
- Индуктивность 1.805GHz ~ 1.88GHz
- Скорость Dual
- Общее сопротивление 89W
- Площадь (Д x Ш) 16.6dB
- Функция - Освещение LDMOS
- Максимальное переменное напряжение NI-1230S-4S4S
- Длина ножки 65 V
- 30 V
- 800 mA