- Модель продукта MRFE6VP8600HR5
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2142
Технические детали
- Тип монтажа NI-1230
- Толщина контактного покрытия 20µA
- Количество витков Chassis Mount
- Индуктивность 470MHz ~ 860MHz
- Скорость Dual, Common Source
- Общее сопротивление 600W
- Площадь (Д x Ш) 19.3dB
- Функция - Освещение LDMOS
- Максимальное переменное напряжение NI-1230
- Длина ножки 130 V
- 50 V
- 1.4 A