- Модель продукта A2T21H450W19SR6
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание RF MOSFET LDMOS 30V NI1230
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1777
Технические детали
- Тип монтажа NI-1230S-4S4S
- Толщина контактного покрытия 10µA
- Количество витков Chassis Mount
- Индуктивность 2.11GHz ~ 2.2GHz
- Общее сопротивление 89W
- Площадь (Д x Ш) 15.7dB
- Функция - Освещение LDMOS
- Максимальное переменное напряжение NI-1230S-4S4S
- Длина ножки 65 V
- 30 V
- 800 mA