- Модель продукта BFU768F,115
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G
- Классификация Биполярные радиочастотные транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2495650
Технические детали
- Тип монтажа SOT-343F
- Количество витков Surface Mount
- Резистивный материал NPN
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Площадь (Д x Ш) 13.1dB
- Смываемый 220mW
- Длина - Резьбовая часть под головкой 70mA
- IGBT Тип 2.8V
- Входной логический уровень - Высокий 155 @ 10mA, 2V
- Тип диода 110GHz
- Срок действия лицензии 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz
- Максимальное переменное напряжение 4-DFP