- Модель продукта A2T27S007NT1
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание RF MOSFET LDMOS 28V 16DFN
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2484
Технические детали
- Тип монтажа 16-VDFN Exposed Pad
- Толщина контактного покрытия 10µA
- Индуктивность 400MHz ~ 2.7GHz
- Общее сопротивление 28.8dBm
- Площадь (Д x Ш) 18.9dB
- Функция - Освещение LDMOS
- Максимальное переменное напряжение 16-DFN (4x6)
- Длина ножки 65 V
- 28 V
- 60 mA