Инвентаризация:1756

Технические детали

  • Тип монтажа 8-VDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 50A
  • Сопротивление при 25°C 6.2mOhm @ 15A, 10V
  • Материал феррулы 83W
  • Барьерный тип 2.8V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN3333
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 111.7 nC @ 10 V
  • 6464 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN

Инвентаризация: 13858

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S

Инвентаризация: 2364

Top