Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.5W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 7A (Ta), 5.3A (Ta)
• Глубина 572pF @ 15V, 645pF @ 25V
• Сопротивление при 25°C 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5.3A, 10V
• Тип симистора 6nC @ 4.5V, 6.4nC @ 4.5V
• Барьерный тип 2.5V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOP