- Модель продукта G1003A
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4273
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 210mOhm @ 3A, 10V
- Материал феррулы 5W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-3
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 18.2 nC @ 10 V
- 622 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
Инвентаризация: 472003
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Инвентаризация: 2252
