Технические детали

• Тип монтажа 8-PowerWDFN
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 960mW (Ta), 1.04W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 30V, 25V
• Толщина внешнего контактного покрытия 14A (Ta), 30A (Ta)
• Глубина 1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
• Сопротивление при 25°C 3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V
• Тип симистора 9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
• Барьерный тип 2V @ 340µA, 2V @ 1mA
• Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)