Инвентаризация:6440

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerLDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт 175°C
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1W (Ta), 44W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Ta)
  • Глубина 1500pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 15A, 10V
  • Тип симистора 24nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-HSON (5x5.4)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 55V 90A TO263-3

Инвентаризация: 3180

Top