Инвентаризация:3747

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta), 50A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 8.5mOhm @ 10A, 10V
  • Материал феррулы 2W (Ta), 60W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN3333-8
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 27 nC @ 4.5 V
  • 3228 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23

Инвентаризация: 36161

SENSOR CURRENT HALL 5A 8SOIC

Инвентаризация: 8053

SENSOR CURRENT HALL 30A 8SOIC

Инвентаризация: 6000

MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON

Инвентаризация: 33014

MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88

Инвентаризация: 90905

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 4564

MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT

Инвентаризация: 21033

Top