Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 P-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.25W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 5.3A (Ta)
• Глубина 870pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 4A, 10V
• Тип симистора 7.8nC @ 4.5V
• Барьерный тип 2.5V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOP