Инвентаризация:20109

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 15A (Ta), 74A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 4.7mOhm @ 15.2A, 10V
  • Материал феррулы 1.8W (Ta), 42W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение MLPAK33
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 46.2 nC @ 10 V
  • 2100 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

Инвентаризация: 50219

MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 7858

MOSFET P-CH 100V 1.4A MLPAK33

Инвентаризация: 9343

Top