- Модель продукта IPB19DP10NMATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание TRENCH >=100V PG-TO263-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3480
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2.9A (Ta), 13.8A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 185mOhm @ 12A, 10V
- Материал феррулы 3.8W (Ta), 83W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 1.04mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 45 nC @ 10 V
- 2000 pF @ 50 V