Инвентаризация:13746

Технические детали

  • Тип монтажа 8-VDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A
  • Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 10A, 10V
  • Материал феррулы 21W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN3333
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 28.7 nC @ 10 V
  • 1750 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-

Инвентаризация: 5000

MOSFET P-CH 30V 30A DFN3*3-8L

Инвентаризация: 5000

Top