- Модель продукта BUK7E5R2-100E,127
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание NEXPERIA BUK7E5R2-100E - 120A, 1
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1973
Технические детали
- Тип монтажа TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 120A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 5.2mOhm @ 25A, 10V
- Материал феррулы 349W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение I2PAK
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 180 nC @ 10 V
- 11810 pF @ 25 V
- AEC-Q101