Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 6.3A (Ta)
• Глубина 560pF @ 20V
• Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 7A, 10V
• Тип симистора 14.6nC @ 10V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 2V @ 1mA
• Максимальное переменное напряжение 8-SO