- Модель продукта PBSS5112PAP,115
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание NEXPERIA PBSS5112PAP - SMALL SIG
- Классификация Биполярные транзисторные матрицы
Инвентаризация:36180
Технические детали
- Тип монтажа 6-UDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Резистивный материал 2 PNP
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Смываемый 510mW
- Длина - Резьбовая часть под головкой 1A
- IGBT Тип 120V
- Толщина ленты 480mV @ 100mA, 1A
- Входной логический уровень - Низкий 100nA (ICBO)
- Входной логический уровень - Высокий 190 @ 100mA, 2V
- Тип диода 100MHz
- Максимальное переменное напряжение 6-HUSON (2x2)
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101