Технические детали

• Тип монтажа DirectFET™ Isometric MT
• Количество витков Surface Mount
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Внешнее покрытие контактов N-Channel
• Толщина внешнего контактного покрытия 32A (Ta), 180A (Tc)
• Сопротивление при 25°C 1.7mOhm @ 32A, 10V
• Материал феррулы 2.8W (Ta), 89W (Tc)
• Барьерный тип 2.35V @ 150µA
• Максимальное переменное напряжение DIRECTFET™ MT
• Длина ремня 4.5V, 10V
• Шаг Количество ±20V
• 30 V
• 77 nC @ 4.5 V
• 6140 pF @ 15 V