Инвентаризация:3642

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 80V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 3.4A (Ta), 2.6A (Ta)
  • Глубина 600pF @ 10V, 1000pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 130mOhm @ 3.4A, 10V, 240mOhm @ 2.6A, 10V
  • Тип симистора 9.2nC @ 5V, 11.5nC @ 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOP
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Инвентаризация: 100840

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

Инвентаризация: 109802

DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD123

Инвентаризация: 29958

Top